Seminare

Veranstaltungsdetails

Die Seminare finden freitags, in der Regel ab 11:00 Uhr, statt.

Veranstaltungsorte:

ATV: Aktuelle Aspekte der Bauelemente und Technologie der Verbindungshalbleiter
SOE2: Seminar zur Organischen Elektronik und Optoelektronik

Seminartermine

Datum
Date
Raum
Room
SeminarTitel
Title
Dozent(in)
Speaker
20.09.2019S3SOE2Perovskite photonic sources (LED + LASER)Amir Nekounam
20.09.2019S3SOE2Chemische Gasphasenabscheidung und Charakterisierung von Pb-basierten Perowskiten für die Anwendung in der OptoelektronikJonas Gerber
13.09.2019S3ATVAnwendungsbeispiele für PolarisationsdotierungErkan Yilmaz
13.09.2019S3ATVEdge Termination durch RepassivierungStefanie Stoll
30.08.2019S3SOE2Advanced chemical engineering of vapor-phase based perovskite synthesisDominik Stümmler
30.08.2019
new date
S3ATVReliability of power GaN devicesLohith Allada
09.08.2019S3ATVGaN SuperjunctionsThorsten Zweipfennig
19.07.2019S3SOE2A Resistive Molecular PhotoswitchSongyao Tang
19.07.2019S3SOE2Gas phase deposition of Pb-based perovskitesSimon Sanders
18.07.2019
Raumänderung / Room Change
S1SOE2Innovative OLED-Technologien für neue AnwendungsgebietePascal Pfeiffer
05.07.2019S3ATVEntwicklung eines DBR-basierten elektrooptischen ModulatorsJens Wieben
24.05.2019S3SOE2Chemische Gasphasenabscheidung von Bismut-basierten Perowskiten für die Anwendung in invertierten SolarzellenJan Henric Seidel
26.04.2019S3ATVInvestigation of polarization induced p-type conductivity in group III nitride heterostructuresLuisa Krückeberg
05.04.2019S3ATVStealth Nanocavity MEAs for Patch-Clamp-like Gigaohm SealingJamal Shihada
01.02.2019S3SOE2Distinctive bond breaking in crystalline phase-change materials and beyondStefan Maier
11.01.2019S3SOE2Herstellung und Charakterisierung von Alkalimetall-haltigen Bismut-basierten Perowskit-Solarzellen aus der Flüssigphase
Bing-Ting Ho
16.11.2018S3SOE2Praktikum bei der Lufthansa Technik AGFelix Gerstenberger
16.11.2018S3SOE2Prozessoptimierung der Gasphasenabscheidung von Bismut-basierten Perowskiten für optoelektronische Anwendungen
Felix Gerstenberger
16.11.2018S3SOE2Entwicklung und Anwendung eines Bauelementes zur
Charakterisierung von Oberflächendipolmolekülen in Perowskit-Solarzellen
Daniel Schön
09.11.2018S3ATVEntwicklung des Sensorelements für die LambdasondeTobias Krebs
09.11.2018S3ATVExperimentelle Evaluation und statistische Analyse des elektrischen Kontakt-Widerstands beim WafertestTobias Krebs
19.10.2018S3SOE2Micro LED - The Next Generation DisplayKai Zhang
19.10.2018S3SOE2Gasphasenabscheidung und Charakterisierung von Bi-basierten Perowskiten für die Anwendung in SolarzellenNils Ackermann
05.10.2018S3ATVMOVPE Regrowth Processes for Novel III-Nitride-based Vertical Power Devices
Arne Debald
27.09.2018
Donnerstag
S3ATVCharakterisierung und Optimierung eines selektiven GaN-Regrowth-ProzessesJona Riedel
21.09.2018S3ATVGaN-Based Electro-Optical ModulationJens Wieben
13.09.2018
Donnerstag
S3ATVNovel Approach for a Monolithically Integrated GaN Cascode with Minimized Conduction and Switching Losses
Thorsten Zweipfennig
07.09.2018S3ATVPolarization: Theory and Application Carsten Beckmann
24.08.2018S3SOE2Artificial Synapses Based on Organic SemiconductorsRobert Kleijnen
27.07.2018S3ATVAnsteuerung von GaN-TransistorenMeike Schauerte
20.07.2018S3ATVOptimierung von ohmschen p-GaN-Kontakten auf Basis von Metallen mit hoher Austrittsarbeit
Lennard Schmidt
13.07.2018S3ATVHigh-Quality AlN on Sapphire by High-Temperature AnnealingTurgay Kaya
13.07.2018S3ATVThyristorenErling Vatn Tranulis
06.07.2018S3ATV2DEG Retraction and its Effect on Device LifetimeHady Yacoub
22.06.2018S3ATVProcessing of p-GaN-gated HFETGerrit Lükens
22.06.2018S3ATVPolarization-induced DopingMeike Schauerte
15.06.2018S3ATVPhotolumineszenz aus Nitriden bei hoher Temperatur als qualitativ neue In-situ Diagnostik während der Epitaxie
Dirk Rueter
08.06.2018S3ATVFabrication of qvFETSimon Kotzea
18.05.2018S3ATVModellierung des Ladevorgangs von Elektrofahrzeugen und
Entwicklung von intelligenten Ladefunktionen zur Implementierung auf
einem Fahrzeugsteuergerät
Philipp Weber
04.05.2018 S3internes Seminar / internal seminar
27.04.2018S3SOE2Bi-based Organo-Halide Perovskite Solar Cells
Simon Sanders
Dominik Stümmler
06.04.2018S3ATVEntwicklung eines Gasphasendepositionsprozesses für zweidimensionale ÜbergangsmetalldichalkogenideMatthias Marx
09.03.2018S3SOE2Wearable Electronics - Science Fiction Becomes RealityAlper Ahmet Cadirgi
26.01.2018S3SOE2Herstellung und Charakterisierung von dotierten organischen Halbleiterschichten mittels OVPDAlexander Eberst
26.01.2018S3SOE2Loss Mechanisms in OLEDs and How to Counter ThemMagdalene Akello Busuru
19.01.2018S3ATVKryogene Charakterisierung von 4H-SiC Hochleistungs-MOSFET-BauelementenJudith Berens
19.01.2018S3ATVKalibration und Test von MEMS-basierten Drucksensoren – Praxissemester bei Silicon Microstructures, Inc.Judith Berens
12.01.2018S3ATVReview of Commercial GaN Power DevicesDamian Panter
12.01.2018S3SOE2State-of-the-Art Perovskite Solar CellsFlorian Schimkat
15.12.2017S3ATVIII-V-on-Si integration for "more Moore" and "more than Moore"Herwig Hahn
01.12.2017S3SOE2Untersuchung und Optimierung von hybriden organisch/anorganischen HeterostruktursolarzellenMartin Weingarten
24.11.2017S3ATV/SOE2Spinpolarisationstransfer von hyperpolarisierten
Stickstoff-Fehlstellen-Zentren auf 13C-Nuklide in Nanodiamanten via
Integrated Solid Effect
Martin Gierse
28.09.2017
Donnerstag
S3SOE2Herstellung und Charakterisierung von Sn-basierten Perowskit-Solarzellen aus der FlüssigphaseFlorian Schimkat
28.09.2017
Donnerstag
S3ATVHerstellung und Charakterisierung von Übergangsmetall-Dichalkogeniden für elektronische BauelementeAnnika Grundmann
03.08.2017
Donnerstag
Konf422ATVProzessierung und Charakterisierung von p-n-Übergängen für GaN-BauelementeMeike Schauerte
14.07.2017Konf422ATVTesting the Temperature Limits of GaN-Based HEMT Devices
Robin Jan Drabinski
14.07.2017Konf422ATVCubic zincblende gallium nitride for green-wavelength light-emitting diodesQian Ding
07.07.2017Konf422ATVMOCVD und Charakterisierung von 2D-MaterialienYou-Ron Lin
30.06.2017Konf422ATVTwo-dimensional gallium nitride realized via graphene encapsulation Lennard Schmidt
30.06.2017Konf422ATVWachstum und Charakterisierung von AlGaN für UV-emittierende LEDLaura Kelemen
12.05.2017
14:00 Uhr
WSH S2,
Raum 24C 102


ATVCharacterization, Analysis and Modelling of DC and Dynamic Properties of GaN HFETs Grown on SiliconHady Yacoub
05.05.2017Konf422SOE2 & ATVIndustriepraktikum: P3Cecilia Höffler
05.05.2017Konf422SOE2Optimierung der Gasphasenabscheidung von organischen Dipolmolekülen für die Funktionalisierung von OberflächenSebastian Mühlenbruch
28.04.2017Konf422SOE2Solarzellen auf Basis von bleifreien PerowskitenViet Hoang
28.04.2017Konf422ATVZuverlässigkeit von GaN-HFETs: Ein ÜberblickChristopher Schaal
21.04.2017Konf422SOE2Electrical Simulation of Organic Light-Emitting Diodes Based on the Master EquationWeifeng Zhou
07.04.2017Konf422ATVUV-assisted high frequency CV measurement on MOS diode (SiOx/AlOx/SiOx+AlOx on GaN)​Zhicheng Wu
10.03.2017Konf422ATVNeuartige Dichalcogenid/GaN-Dioden durch 2D/3D-HeteroübergängeJochen Politze
17.02.2017Konf422SOE2Entwicklung von Antireflexionsschichten für transparente OLEDPaul Rohwein
10.02.2017S3ATVKinetische Monte-Carlo Studie der Grundprinzipien der Wachstumsbedingungen von WSe2-MonolagenSebastian Siegel
03.02.2017S3SOE2LEC (Light-Emitting Electrochemical Cells) - Die neue OLED?Florian Renneke
03.02.2017S3ATVOptimierung und Integration eines analogen Front-Ends für passive theranostische RFID-ImplantateChristopher Schaal
27.01.2017S3ATVInvestigation of AlN/GaN Superlattices and their Application to Group III Nitride DevicesAda Wille
20.01.2017S3SOE2Untersuchung von Metallnetzen als ITO-Ersatz in organischen LeuchtdiodenJens Wieben
16.12.2016S3ATVCMOS-kompatible Prozesse für GaN-BauelementePhilipp Weber
16.12.2016S3ATVBerichte zum Stand von vertikalen BauelementenArne Debald,
Simon Kotzea
25.11.2016S3SOE2Process Optimisation of Vapour Phase Deposition of Perovskites for Optoelectronic DevicesNoah Wickel
25.11.2016S3ATVEntwicklung und Fertigung eines Forschungsgerätes zur Erfassung von VitalparameternThorsten Zweipfennig
04.11.2016S3ATVPraktikumsbericht zu Nano-ImprintsWei Wu
21.10.2016Konf422ATVUntersuchungen zur Erhöhung der Durchbruchspannung in Schottky-Dioden mittels FeldplattenManuel Ackermann
21.10.2016Konf422SOE2Herstellung und Charakterisierung von Perowskit-Solarzellen aus der FlüssigphaseSören Husarek
28.09.2016
Mittwoch
10 Uhr
Konf422ATVHerstellung und Charakterisierung von Silizium-Nano-Ribbon-FETsCecilia Höffler
16.09.2016Konf422SOE2Anwendung von Aggregation-Induced Emission (AIE) in organischen optoelektronischen BauelementenMoez Ounis
19.08.2016Konf422ATVInvestigation and Analysis of Leakage Currents of MIS Diodes on GaN HeterostructuresZhicheng Wu
19.08.2016Konf422ATVHerstellung und Charakterisierung von in-situ SiN-passivierten AlGaN/GaN-MISHFETTim Kempen
29.07.2016Konf422SOE2Experimentelle und numerische Untersuchung von Pentacene-Dünnschichttransistoren mit chemisch veränderten GoldelektrodenHaruki Nagahama
15.07.2016Konf422SOE2Entwicklung und Charakterisierung von hybriden Organik/Anorganik-SolarzellenThorsten Zweipfennig
08.07.2016Konf422ATVInvestigation of the Degradation of GaN-based HFETsWei Wu
01.07.2016Konf422ATVEntwicklung und Charakterisierung eines fluorbasierten Plasmaätzprozesses für p-dotiertes GaNKazim Hallaceli
01.07.2016Konf422ATVProzessierung und Charakterisierung von AlInN/GaN-HFET für HochfrequenzanwendungenChristopher Schaal
28.06.2016
Dienstag!
10:00 Uhr
Konf422ATV & SOE2MOVPE growth and characterization of GaN/InGaN nanowires and microrods
Bartosz Foltynski
24.06.2016Konf422SOE2Prozessoptimierung und elektrooptische Charakterisierung von transparenten OLEDCarsten Beckmann
24.06.2016Konf422SOE2Quantum Dot LED - Eine alternative TechnologieJulia Ebert
03.06.2016Konf422SOE2Process Optimization of OLED Backside Contacting &
Vortrag zum Industriepraktikum bei Tridonic
Xiao Dan Zhang
25.05.2016
Mittwoch!
11:00 Uhr
Konf422ATVHerstellung und Untersuchung von p-GaN-basierten BauelementenSascha Geipel
04.05.2016
Mittwoch!
10:30 Uhr
Konf422ATVUntersuchung der Passivierungseigenschaften von AIGaN-GaN-HFETJonas Kang
15.04.2016Konf422SOE2Vertikale organische TransistorenAlbert Pfander
11.03.2016Konf422SOE2Entwicklung und Charakterisierung von ICP-RIE-Trockenätzprozessen von Al, Al2O3 und organischen HalbleiternLaura Kelemen
19.02.2016Konf422ATVGaN Superjunctions (Achtung: Raum WSH 24 B 422)!Milena Žuric
12.02.2016Konf422SOE2Strukturierung von PEDOT:PSS zur Verwendung in organischen BauelementenCecilia Höffler