Nitrid-MOCVD

Die Forschungsarbeiten im Bereich der Nitrid-Epitaxie liegen im Bereich neuer Heterostrukturen und Bauelementkonzepte für elektronische und optoelektronische Bauelemente. Dazu gehören:

  • Heterostrukturen mit 2-dimensionalen Elektronen- und Löchergasen für Hochtemperaturelektronik
  • Strukturen mit dünnen Barrieren und Kanälen für die Hochfrequenzelektronik
  • Abscheidung von Driftregionen hoher Beweglichkeit für Leistungsdioden und Transistoren
  • selektive Epitaxie von Kontaktschichten für niederohmige n- und p-Kontakte
  • Abscheidung von Übergitter (Superlattice)-Strukturen für optische Komponenten wie verteilte Bragg-Reflektoren (DBR) und Modulatoren