Nitrid-MOCVD
Die Forschungsarbeiten im Bereich der Nitrid-Epitaxie liegen im Bereich neuer Heterostrukturen und Bauelementkonzepte für elektronische und optoelektronische Bauelemente. Dazu gehören:
- Heterostrukturen mit 2-dimensionalen Elektronen- und Löchergasen für Hochtemperaturelektronik
- Strukturen mit dünnen Barrieren und Kanälen für die Hochfrequenzelektronik
- Abscheidung von Driftregionen hoher Beweglichkeit für Leistungsdioden und Transistoren
- selektive Epitaxie von Kontaktschichten für niederohmige n- und p-Kontakte
- Abscheidung von Übergitter (Superlattice)-Strukturen für optische Komponenten wie verteilte Bragg-Reflektoren (DBR) und Modulatoren