GaN-Bauelementtechnologie
Die Forschungsarbeiten im Bereich der Nitrid-Epitaxie liegen im Bereich neuer Heterostrukturen und Bauelementkonzepte für elektronische und optoelektronische Bauelemente. Dazu gehören:
- Heterostrukturen mit 2-dimensionalen Elektronen- und Löchergasen für Hochtemperaturelektronik
- Strukturen mit dünnen Barrieren und Kanälen für die Hochfrequenzelektronik
- Abscheidung von Driftregionen hoher Beweglichkeit für Leistungsdioden und Transistoren.
- Selektive Epitaxie von Kontaktschichten für niederohmige n- und p-Kontakte
- Abscheidung von Übergitterstrukturen für optische Komponenten wie Modulatoren und verteilte Bragg-Reflektoren (DBR)
Im Bereich der Bauelementtechnologie liegen die Schwerpunkte auf der Untersuchung des Einflusses von Material- und Prozesstechnologie auf die Bauelementperformance und auf der Entwicklung neuer Prozessmodule für elektronische Bauelemente. Dazu gehören:
- Untersuchung von Substrateffekten und Design von Schichtstrukturen für Hochfrequenz- und Leistungstransistoren
- Bauelemente-Charakterisierung und TCAD-Simulation
- Entwicklung neuartige Prozessmodule wie selektive Epitaxie, neue Gate-Dielektrika
- Untersuchung und Entwicklung temperaturstabiler Kontakte
- Design und Prozessentwicklung für neuartige vertikale Bauelementkonzepte