GaN-Bauelementtechnologie

Die Forschungsarbeiten im Bereich der Nitrid-Epitaxie liegen im Bereich neuer Heterostrukturen und Bauelementkonzepte für elektronische und optoelektronische Bauelemente. Dazu gehören:

  • Heterostrukturen mit 2-dimensionalen Elektronen- und Löchergasen für Hochtemperaturelektronik
  • Strukturen mit dünnen Barrieren und Kanälen für die Hochfrequenzelektronik
  • Abscheidung von Driftregionen hoher Beweglichkeit für Leistungsdioden und Transistoren.
  • Selektive Epitaxie von Kontaktschichten für niederohmige n- und p-Kontakte
  • Abscheidung von Übergitterstrukturen für optische Komponenten wie Modulatoren und verteilte Bragg-Reflektoren (DBR)

Im Bereich der Bauelementtechnologie liegen die Schwerpunkte auf der Untersuchung des Einflusses von Material- und Prozesstechnologie auf die Bauelementperformance und auf der Entwicklung neuer Prozessmodule für elektronische Bauelemente. Dazu gehören:

  • Untersuchung von Substrateffekten und Design von Schichtstrukturen für Hochfrequenz- und Leistungstransistoren
  • Bauelemente-Charakterisierung und TCAD-Simulation
  • Entwicklung neuartige Prozessmodule wie selektive Epitaxie, neue Gate-Dielektrika
  • Untersuchung und Entwicklung temperaturstabiler Kontakte
  • Design und Prozessentwicklung für neuartige vertikale Bauelementkonzepte