Author Archives: Holger Kalisch

CST Seminars

Liubou Padzialioshkina
“Processing and characterization of N-polar GaN layers”

Jiancheng Xu
“Influence of MOCVD Parameters on the Electrical Properties of 2D-WSe₂”

11:00 in S2

CST Seminars

Carsten Beckmann
“Epitaxie, Prozessierung und Charakterisierung von AIGaN-Gradientenstrukturen und GaN/AIGaN-Heterostrukturen für die Anwendung von polarisationsinduzierten Löcherdichten”

10:00 in S1